SiC 混合模塊
碳化硅（SiC）混合模塊是具有高功率密度的 IGBT 集成功率模塊。它們的開(kāi)關(guān)損耗比非混合模塊更低，工作溫度也高于其他類(lèi)型的半導(dǎo)體。碳化硅混合模塊可用于要求低損耗的大功率應(yīng)用。對(duì)于需要高頻開(kāi)關(guān)的系統(tǒng)，碳化硅混合模塊的效率更高。
顯示 4 個(gè)結(jié)果
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VCES (V)
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650
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1200
重置篩選
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IC (A)
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300
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450
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600
重置篩選
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VCE(sat) (V)
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1.40
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1.85
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1.90
重置篩選
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RthJC (K/W)
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0.048
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0.065
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0.25
重置篩選
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Tjmax
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175℃
重置篩選
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Packages
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GHP
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GWB
重置篩選
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Type
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VCES (V)
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IC (A)
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VCE(sat) (V)
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RthJC (K/W)
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Tjmax
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Packages
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篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
篩選
重置篩選 |
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| 650 | 300 | 1.40 | 0.25 | 175℃ |
GHP 
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| 650 | 300 | 1.40 | 0.25 | 175℃ |
GHP 
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| 1200 | 600 | 1.90 | 0.048 | 175℃ |
GWB 
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| 1200 | 450 | 1.85 | 0.065 | 175℃ |
GWB 
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